النتائج (
الإسبانية) 2:
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總之,我們提出了一個Ge/Ge0.89Sn0.11/Ge DHS邊緣發射雷射器,該鐳射器使用<br>CVD 系統具有低成本的商用前體氣體,在單個運行外延。激光的減少<br>在 68 KW/cm2 觀察到的閾值歸因於 DHS、GeSn 層的高品質以及光滑的側壁和面。這項工作中介紹的 GeSn 雷射器在基於 Si 的雷射器的單片集成方面具有巨大的潛力。<br>這項工作門檻的降低與CVD系統中生長的高品質寬鬆厚GeSn晶體薄膜有關。此外,國土安全部增加了載波限制,導致閾值功率密度降低。
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